院 士

集成电路院士工作室

▶ 院士简介

吴汉明,中国工程院院士,微电子技术(集成电路制造)专家。吴汉明院士长期工作在我国集成电路产业链重要环节,并作出突出贡献。主持、指导了包括国家重大专项的0.13微米至14纳米七代芯片工艺研发,负责攻克了包括刻蚀等一系列关键工艺难点,工艺集成后实现产业化。突破了长期以来我国高端芯片工艺完全依赖进口的制约,与世界水平差距明显缩小。负责我国首台刻蚀机研发项目的理论工作,并成功产业化。


▶ 工作室定位

集成电路院士工作室将围绕鹏城实验室未来重大研究方向需要,立足集成电路行业的国产化需求,开展高端接口IP核的关键技术研究,包括DDR5和高速SerDes等,打造开源技术平台,支持国家战略需求。


▶ 工作室研究方向

1. 针对先导工艺下硅基无源元器件(电容、电感、传输线等)的电磁场的理论模型的不足的科学问题,建立先进工艺下的器件仿真建模及优化。

2.依据科学理论研究结果,指导实现低抖动(<100fs)PLL的架构设计和关键模块设计。

3.研究PLL数字化技术,包括高精度时数转换器技术以及量化噪声及杂散消除技术等。

4.针对低功耗、低延时、高速率、高带宽利用率的DDR IP,首先需要解决如何确保LPDDR5在并行高速率下稳定工作;其次研究LPDDR5高速率工作条件带来的延时问题,寻找满足低延时的需求的途径;最后研究解决功耗控制的科学问题,发现LPDDR5高速率工作条件与功耗规律,寻找最优的低功耗方法。

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